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AES(俄歇電子衍射分析)分析法

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簡介

用電子光束照射試料表面,通過捕捉脫出的俄歇電子取得表面數(shù)nm的信息。因為面分解能達到數(shù)nm級則可以得到高畫像,所以用于表面、界面的微小領域測定??梢赃M行組成評價和半定量評價。深度方向測定與離子光束蝕刻并用,組成評價和膜厚評價的情況下需要注意。樣品主要為導電性物體。

詳情

分析特長:

1.極表面的組成分布

通過得到試料表面數(shù)nm級的極表面元素分布、組成信息,可以評價物質(zhì)接合界面等的狀態(tài)。

2. 高面分解能觀察

因為可進行FE-SEM水平的高面分解能畫像觀察,可以對應1:1的像觀察和表面元素分布像,所以解釋起來十分容易。

3. 深度方向分析

與離子光束蝕刻并用,可以分析深度方向。

4. 化學結(jié)合狀態(tài)分析

可以觀測一部分元素的化學結(jié)合狀態(tài)。

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分析原理

用電子光束照射試料表面,測定從試料表面脫出的俄歇電子。因為俄歇電子市從試料表面數(shù)nm脫出,所以只可以得到極表面的信息。

分析用途

?表面元素分布評價(元素組成?line分析?mapping)

?異物分析(極微小領域附著異物分析)

?表面污染評價

?膜質(zhì)評價

?表面元素的氧化?結(jié)合狀態(tài)

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