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概要
聚焦離子束FIB,不僅像SEM,FE-SEM,STEM進(jìn)行微觀觀察,并配備Ga離子束斷面制樣裝置,可以加工納米級(jí)別樣品,用于STEM分析的樣品制備及界面切割觀察。
FIB特點(diǎn)
1.可進(jìn)行微領(lǐng)域加工
可正確瞄準(zhǔn)機(jī)械研磨和CP加工無(wú)法正確瞄準(zhǔn)的位置進(jìn)行加工。
2.大電流FIB column
離子光束的最大電流值為60nA,可縮短其加工時(shí)間。
因此,可以制作100μm以上的用于觀察的試料的斷面。
3.可利用2種加工模式
可對(duì)應(yīng)目的選擇rapid mode、mill mode兩種加工方式。
4.噴鍍
可進(jìn)行碳、鎢、等離子等3種模式的噴鍍。
5.觀察模式
通過(guò)SIM(Scanning Ion Microscope),可更鮮明地觀察加工面。與SEM相比,最表層的觀察精度可達(dá)到5nm,可以更加容易地觀察到SEM難以觀察到的金屬(Al,Ni等)的結(jié)晶狀態(tài)。
6.低加速電壓加工
FIB加工時(shí),為了除去Ga離子注入層,利用低加速電壓進(jìn)行表面加工,可以薄化Ga注入層。
FIB原理
FIB(Focused Ion Beam)是通過(guò)Ga液體金屬源引出的電極的電界將Ga+離子束縛成數(shù)nm程度,在對(duì)象試料表面進(jìn)行掃描,進(jìn)行微加工的一種技術(shù)。
另外,還可以利用離子光束進(jìn)行觀察(SIM觀察)及配備EDS進(jìn)行結(jié)構(gòu)元素分析。
FIB設(shè)備介紹
以日本電子制JIB-4000為例:
---加速電壓:1~30kV
---倍率:×60(探索視野)、×200~300,000
---像分解能:5nm(30kV時(shí))
---最大光束電流:60nA(30kV時(shí))
---可動(dòng)光圈:12個(gè)階段(馬達(dá)驅(qū)動(dòng))
---離子光束加工形狀:短形、line、spot
FIB用途
?制作SEM、SIM、S/TEM用試料
?IC芯片等薄膜材料的斷面構(gòu)造解析
?制作鍍層薄膜的斷面試料,通過(guò)S/TEM分析
?觀察金屬結(jié)晶(SIM觀察)
?配線加工(短路、斷線)
?案例圖片
制作觀察用試料(rapid)
制作TEM,S/TEM用斷面試料
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